ÚLTIMA HORA | Infineon habla de revolución en los chips de GAN: OBLEGA DE 300 mm
Infineon Technologies ha anunciado una nueva revolución en el mercado de semiconductores al presentar un avance significativo en la fabricación de chips de nitruro de galio (GaN). La compañía alemana ha logrado producir chips GaN en obleas de 300 mm, lo que permite fabricar dos veces más chips por oblea en comparación con las de 200 mm, reduciendo así los costes de producción. El director general de Infineon, Jen Hanck, ha destacado que el mercado de esta tecnología alcanzará varios miles de millones de dólares para finales de la década y que la empresa está posicionándose para liderar este crecimiento. El GaN, conocido por su eficiencia, velocidad, ligereza y capacidad para operar a altas temperaturas y voltajes, se está estableciendo como una alternativa superior al silicio en la fabricación de semiconductores.